你的位置:首页 > 新闻动态 > 行业新闻

国产光刻胶自给率突破1%后,一个奇怪的现象出现了

2023/9/15 16:38:56      点击:

光刻胶是光刻机生产、芯片生产的核心原材料之一,其作用是用于抗腐蚀涂层材料。虽然我国也能生产光刻胶,但在高端光刻胶领域,我们依然依赖于进口。

据悉,在高端光刻胶领域,日本占据了全球市场的75%,掌握了高端光刻胶的绝对话语权。反观国内的高端光刻胶市场份额就比较寒酸,让人有些难过。

国产光刻胶自给率突破1%后,一个奇怪的现象出现了


以ArF光刻胶为例,这种光刻胶用于14nm至130nm的芯片、光刻机上,但我国的ArF光刻胶的国产自给率仅为1%,因此我国需要从日企购买ArF光刻胶。

值得庆幸的是我国半导体产业发展迅猛,多项技术实现突破,这其中就包括光刻胶的突破。据悉,国内光刻机公司南大光电已经开发出多款ArF光刻胶,这些光刻胶制程覆盖到28nm—90nm,并且这些光刻胶得到下游合作伙伴的验证。

国产光刻胶自给率突破1%后,一个奇怪的现象出现了


换言之,在ArF光刻胶领域,我国突破了1%的自给率,这对我国光刻机、芯片的发展起到促进作用。

虽然在高端光刻胶领域,我国已经实现了1%自给率的突破,但在高端EUV光刻机领域,我们的进展依然为零。面对这种奇怪的现象,一些关心国产光刻机的用户提出了自己疑问:难道国产ArF光刻胶名不副实吗?对于这个问题,我认为我们要这样看。

国产光刻胶自给率突破1%后,一个奇怪的现象出现了


首先是光刻胶的种类有很多,ArF光刻胶只是光刻胶的一种。据悉,光刻胶可分为5类,分别是EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶、g线光刻胶、i线光刻胶。

其中EUV光刻胶生产难度最大,技术含量最高。而7nm的EUV光刻机就远EUV光刻胶。目前南大光电的光刻胶还停留在ArF光刻胶阶段,离EUV光刻胶还有不小的差距。

国产光刻胶自给率突破1%后,一个奇怪的现象出现了


其次是南大光电的ArF光刻胶还在试验阶段,离量产上市还有一段距离。虽然南大光电的ArF光刻胶得到下游合作伙伴的验证。但这种验证并不完善,离量产上市还有不小距离。而且一款新材料从试验阶段到量产上市也需要很长一段时间,短则1、2年,长则10年、20年。

由此可见,南大光电的ArF光刻胶在目前的光刻机、芯片研发上没有太大作用,这是当下不得不承认的现实。

国产光刻胶自给率突破1%后,一个奇怪的现象出现了


再者是光刻机、芯片的研发生产对光刻胶的材质要求非常高。比如一些高端DUV光刻机对光刻胶的覆盖要求达到14nm,而南大光电的ArF光刻机覆盖范围为28nm—90nm。试问这种光刻胶如何能满足高端DUV光刻机的研发、生产呢?

国产光刻胶自给率突破1%后,一个奇怪的现象出现了


最后是光刻机、芯片的研发是一项非常复杂的事情,仅靠光刻胶的突破无法解决问题。一台EUV光刻机的组装需要十几万个零部件,每一个零部件生产背后都是全球最顶级公司的技术支撑。

所以南大光电的ArF光刻胶的技术突破并不能解决光刻机、芯片的研发生产,而只是加快光刻机、芯片研发生产的进程。

国产光刻胶自给率突破1%后,一个奇怪的现象出现了


写在最后

自从华为遭受老美打压后,国人对国产光刻机、国产芯片的发展极为关注。但凡光刻机、芯片的某项技术实现突破,网络上就掀起了一股‘厉害了’‘碾压其他公司’的言论。

一旦这些技术无法改变国产光刻机、国产芯片的处境,那么网络上就对这些技术嗤之以鼻,甚至是责骂。

任何尖端设备的研发成功是数以万计技术的突破,靠一项、十几项技术突破无法改变现状。所以网友们还是少一点自大,多一点低调,唯有如此,我们才能营造良好科研环境。更多滤芯胶请访问www.pusino.com